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RD3L03BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -60V -35A 功率MOSFET RD3L03BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L03BAT	文件：2.66904 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3L03BAT；Package：TO-252；Pch -60V -35A Power MOSFET 文件：2.66904 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L03BBG	文件：2.80472 Mbytes Page：13 Pages	Nch 60V 50A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.80472 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3L03BBJHRB	文件：2.60366 Mbytes Page：14 Pages	Pch -60V -29A Power MOSFET Features Low on-resistance Pd-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.60366 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-60
Drain Current ID[A]：
-35
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.032
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.036
Total gate charge Qg[nC]：
18.5
Power Dissipation (PD)[W]：
56
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3L03BAT供应商更新时间2025-10-7 10:01:00

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