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RD3H045SPFRA	文件：2.69331 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RD3H045SP；Package：TO-252；Pch -45V -4.5A Power MOSFET 文件：2.69331 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3H045SP	文件：309.88 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：309.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RD3H045SP	文件：2.87105 Mbytes Page：16 Pages	Pch -45V -4.5A Power MOSFET 文件：2.87105 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3H045SP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -45V -4.5A 功率MOSFET RD3H045SP是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3H045SPFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -45V -4.5A 车载功率MOSFET RD3H045SPFRA是低导通电阻的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.185
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.16
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.185
Total gate charge Qg[nC]：
12
Power Dissipation (PD)[W]：
15
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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