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RD3G07BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -40V -70A 功率MOSFET RD3G07BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 • Low on - resistance\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RD3G07BAT	文件：2.66143 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3G07BAT；Package：TO-252；Pch -40V -70A Power MOSFET 文件：2.66143 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3G07BBG	文件：2.77753 Mbytes Page：13 Pages	Nch 40V 150A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.77753 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3G07BBG	文件：2.80771 Mbytes Page：13 Pages	Nch 40V 130A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.80771 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3G07CGN	文件：2.61879 Mbytes Page：14 Pages	Nch 40V 70A Power MOSFET 文件：2.61879 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-40
Drain Current ID[A]：
-70
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0069
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0057
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0069
Total gate charge Qg[nC]：
52
Power Dissipation (PD)[W]：
101
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多RD3G07BAT供应商更新时间2025-10-11 14:01:00

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