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RD3G07BAT

丝印:RD3G07BAT;Package:TO-252;Pch -40V -70A Power MOSFET

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ROHM

罗姆

RD3G07BAT

丝印:RD3G07BAT;Package:TO-252;Pch -40V -70A Power MOSFET

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ROHM

罗姆

RD3G07BAT

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -70A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Switching

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ISC

无锡固电

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更多RD3G07BAT供应商 更新时间2026-10-31 14:08:00