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RD3G04BBJHRB	文件：2.72197 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RD3G04BBJ；Package：TO-252；Pch -40V -40A Power MOSFET Features Low on-resistance Pb-free plating;RoHS compliant 100% Avalanche tested AEC-Q101 qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body 文件：2.72197 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RD3G04BBJHRB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3G04BBJHRB is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body. • Low on-resistance\n• Pb-free plating;RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
SK3G04	文件：392.95 Kbytes Page：4 Pages	Rectifier Diodes Rectifier Diodes Applications • General purpose rectifier diodes for high quality requirement • For printed circuit board mounting 文件：392.95 Kbytes 页数：4 Pages	SEMIKRON 赛米控丹佛斯	SEMIKRON
RD3L220SNFRATL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ROHM 罗姆上传：深圳权泰科技有限公司	ROHM
RD74LVC00BTELL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP14	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

封装：
TO-252 (TL)
包装形态：
Taping
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-40
Drain Current ID[A]：
-40
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)：
0.024
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.0181
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)：
0.024
Total gate charge Qg[nC]：
13
Power Dissipation (PD)[W]：
53
Drive Voltage[V]：
-4.5
Trr (Typ)[ns]：
26
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
175
Package Size [mm]：
6.2x6.6 (t=2.4)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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