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RD35HUP2	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD35HUP2	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD38F2030W0ZTQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA64	INTEL/英特尔上传：深圳庞田科技有限公司	INTEL/英特尔
RD3L220SNFRATL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ROHM 罗姆上传：深圳权泰科技有限公司	ROHM
RD74LVC00BTELL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP14	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨
RD74LVC16244BTEL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
175 / 530MHz
Output Power (Min)：
35(typ)W
Package：
HPM
Input Power (Typ)：
3W
Drain Efficiency (Min)：
55(typ)%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	RD35HUP2	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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更多RD35HUP2供应商更新时间2026-1-19 10:34:00

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