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RD35HUP2中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD35HUP2数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RD35HUP2

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD35HUP2

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RD35HUP2

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Freqency

    :175 / 530MHz

  • Output Power (Min)

    :35(typ)W

  • Package

    :HPM

  • Input Power (Typ)

    :3W

  • Drain Efficiency (Min)

    :55(typ)%

  • Feature

    :built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

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