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RD30HVF1	文件：401.76 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60typ. 文件：401.76 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD30HVF1	文件：339.93 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：339.93 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD30HVF1	文件：537.62 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：537.62 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD30HVF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD30HVF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD30HVF1-101	文件：401.76 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60typ. 文件：401.76 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD30HVF1_10	文件：339.93 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：339.93 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD30HVF1_11	文件：537.62 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：537.62 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
175MHz
Output Power (Min)：
30W
Package：
Ceramic(Small)
Input Power (Typ)：
1000W
Drain Efficiency (Min)：
55%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	RD30HVF1	MITSUBI	25+	高频管	7899	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市力仕科电子科技有限公司	RD30HVF1	三菱	25	SLP	620	绝对原装现货	询价
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更多RD30HVF1供应商更新时间2025-10-8 17:06:00

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