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RD30HVF1-101	文件：401.76 Kbytes Page：8 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES Highpowergain:Pout>30W,Gp>14.7dB@Vdd=12.5V,f=175MHz HighEfficiency:60typ.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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RD30HVF1-101

文件：401.76 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES Highpowergain:Pout>30W,Gp>14.7dB@Vdd=12.5V,f=175MHz HighEfficiency:60typ.

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

详细参数

型号：
RD30HVF1-101
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

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更多RD30HVF1-101供应商更新时间2025-5-16 13:58:00

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