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RD30HVF1-101

Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60typ.

文件:401.76 Kbytes 页数:8 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD38F2030W0ZTQ1

INTEL/英特尔
BGA64

INTEL/英特尔

上传:深圳庞田科技有限公司

INTEL/英特尔

RD3L220SNFRATL

ROHM
TO-252

RD901SF-20-15R1-B10K

ALPHA阿尔法
DIP

ALPHA阿尔法

RDA3565S

RDA
QFN24

RDA

锐迪科微电子

上传:深圳市大联智电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    RD30HVF1-101

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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NA
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MITSUBISHI
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更多RD30HVF1-101供应商 更新时间2025-10-7 13:58:00