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RD01MUS2	文件：251.28 Kbytes Page：6 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz • High Efficiency: 6 文件：251.28 Kbytes 页数：6 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：209.9 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD01MUS2B	文件：2.69821 Mbytes Page：15 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2B is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain and High Efficiency. Pout 1.6W Typ, Gp 15dBTyp, 70Typ @Vdd= 文件：2.69821 Mbytes 页数：15 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2_10	文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：209.9 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2_11	文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes 页数：7 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD01MUS2_15	文件：254.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 文件：254.92 Kbytes 页数：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
RD01MUS2B	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2B	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
7.2V
Freqency：
520MHz
Output Power (Min)：
0.8W
Package：
SOT-89
Input Power (Typ)：
0.03W
Drain Efficiency (Min)：
50%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RD01MUS2供应商更新时间2025-12-2 8:02:00

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