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RD01MUS2	文件：251.28 Kbytes Page：6 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHF/UHFRFamplifiersapplications. ThisdevicehasaninternalmonolithiczenerdiodefromgatetosourceforESDprotection. FEATURES •Highpowergain: Pout>0.8W,Gp>14dB@Vdd=7.2V,f=520MHz •HighEfficiency:6	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2;	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	MITSUBISHI
RD01MUS2B	文件：2.69821 Mbytes Page：15 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2BisaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHF/UHFRFamplifiersapplications. ThisdevicehasaninternalmonolithiczenerdiodefromgatetosourceforESDprotection. FEATURES •HighpowergainandHighEfficiency. Pout1.6WTyp,Gp15dBTyp,70Typ@Vdd=	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2_10	文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2_11	文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD01MUS2_15	文件：254.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
RD01MUS2B	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2B;	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
7.2V
Freqency：
520MHz
Output Power (Min)：
0.8W
Package：
SOT-89
Input Power (Typ)：
0.03W
Drain Efficiency (Min)：
50%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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