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RCD100N20	文件：1.17105 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)High-speedswitching. 3)WiderangeofSOA. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RCD100N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET; •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RCD100N20TL	文件：1.00833 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HM100N20T	文件：561.78 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFN100N20	文件：112.37 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ●Internationalstandardpackages ●JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●U	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN100N20	文件：536.78 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverter ·BatteryChargers ·SynchronousRectification	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LMPC100N20	文件：770.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
RDN100N20	文件：62.12 Kbytes Page：4 Pages	Switching(200V,10A) Switching(200V,10A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity. Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
STE100N20	文件：156.86 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE ■HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY(SEESTH33N20FIFORRATING) ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWERCAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHETWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
200
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.14
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.14
Total gate charge Qg[nC]：
26.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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