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RCD100N20	文件：1.17105 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching 文件：1.17105 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCD100N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RCD100N20TL	文件：1.00833 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.00833 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RDN100N20	文件：62.12 Kbytes Page：4 Pages	Switching (200V, 10A) Switching (200V, 10A) Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. Application Switching 文件：62.12 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
STE100N20	文件：156.86 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY (SEE STH33N20FI FOR RATING) ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth 文件：156.86 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
200
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.14
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.14
Total gate charge Qg[nC]：
26.0
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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