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RA45H8994M1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA45H8994M1数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
:RA45H8994M1
- 生产厂家
:MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
:12.8V
- Frequency (Min - Max)
:896~941MHz
- Output Power
:45W
- Package
:H2M(A)
- Input Power Typ
:50mW
- Drain Efficiency (Min)
:33%
- Feature
:VGS1,VGD2 Separation type
- RoHS Directive
:2011/65/EU RoHS2 Compliant
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
高见泽 |
20+ |
标准 |
15800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TAKAMISAWA |
新 |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
MITSHIBIS |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
24+ |
600 |
全新原装现货 |
询价 | ||||
Mitsubishi Electric (三菱) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TAKAMI |
18+ |
DIP |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
H2M |
520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
TAKAMISAWA |
2447 |
DIP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |