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RA45H8994M1	文件：178.48 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, 896-941MHz 45W 12.8V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：178.48 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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RA45H8994M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA45H8994M1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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RA45H8994M1_10	文件：181.34 Kbytes Page：9 Pages	896-941MHz 45W 12.8V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：181.34 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA45H8994M1_11	文件：263.45 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, 896-941MHz 45W 12.8V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：263.45 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
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技术参数

Drain Voltage Typ：
12.8V
Frequency (Min - Max)：
896～941MHz
Output Power：
45W
Package：
H2M(A)
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
33%
Feature：
VGS1，VGD2 Separation type
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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