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RA45H7687M1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA45H7687M1数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA45H7687M1
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.8V
- Frequency (Min - Max)
：764～870MHz
- Output Power
：45W
- Package
：H2M(A)
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：33%
- Feature
：VGS1，VGD2 Separation type
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
23+ |
模块 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
MIT |
25+ |
SOP16 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MITSUBIS |
22+ |
SIP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA |
38522 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MIT |
24+ |
SIP |
331 |
询价 | |||
MITSUBISHI |
H2M |
720 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 |
