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RA30H1317M1	文件：108.6 Kbytes Page：8 Pages	RF MOSFET MODULE 135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：108.6 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1	文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliance, 135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：233.07 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H1317M1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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RA30H1317M1_11	文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliance, 135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：233.07 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1-101	文件：108.6 Kbytes Page：8 Pages	RF MOSFET MODULE 135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：108.6 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1-201	文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliance, 135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：233.07 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1-201	文件：157.39 Kbytes Page：10 Pages	135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO 文件：157.39 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RA30H1317M1A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H1317M1A	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
135～175MHz
Output Power：
30W
Package：
H2M
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
40%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市拓亿芯电子有限公司	RA30H1317M1	MITSUBISH	25+	H2S	15000	只做进口原装假一罚百	询价
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深圳市赛芯源科技有限公司	RA30H1317M1	MITSUBISHI	2017+	H2M	1610	原装正品,诚信经营	询价
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更多RA30H1317M1供应商更新时间2025-12-12 8:03:00

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