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RA13H3340M1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H3340M1

MITSUBISHI

三菱电机

RA13H4047M

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H4047M

MITSUBISHI

三菱电机

RA13X70A10000KB00

包装:盒 类别:电阻器 底座安装电阻器 描述:SFERNICE FIXED RESISTORS

Vishay Sfernice

Vishay Sfernice

RA13X70A10000KB10

包装:散装 类别:电阻器 底座安装电阻器 描述:SFERNICE FIXED RESISTORS

Vishay Sfernice

Vishay Sfernice

RA13X70A100R0KB00

包装:盒 类别:电阻器 底座安装电阻器 描述:SFERNICE FIXED RESISTORS

Vishay Sfernice

Vishay Sfernice

技术参数

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Frequency (Min - Max):

    135~175MHz

  • Output Power:

    13W

  • Package:

    H2S

  • Input Power Typ:

    50mW

  • Drain Efficiency (Min):

    40%

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DIP
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1928
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MIT
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H2S
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原装正品,假一罚十
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SANKEN
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DIP
5000
全现原装公司现货
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更多RA13供应商 更新时间2026-1-23 15:46:00