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RA13H4047M	文件：85.83 Kbytes Page：9 Pages	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE 400-470MHz 13W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
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RA13H4047M-01	文件：85.83 Kbytes Page：9 Pages	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE 400-470MHz 13W 12.5V, 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RA13H4047M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA13H4047M1;	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	MITSUBISHI

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
400～470MHz
Output Power：
13W
Package：
H2S
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
40%
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RA13H4047M供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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