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R8002CND	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002CND	文件：2.58909 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TL；Package：TO-252；Nch 800V 1A Power MOSFET 文件：2.58909 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002CND3FRA	文件：1.33921 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8002CND3；Package：TO-252；Nch 800V 2A Power MOSFET 文件：1.33921 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002CND	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 1A 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on-resistance.\n• Drive circuits can be simple.\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n;	ROHM 罗姆	ROHM
R8002CND3FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 800V 2A 功率MOSFET R8002CND3FRA是适合开关电源用途的功率MOSFET。 • Low on-resistance\n• Drive circuits can be simple\n• AEC-Q101 Qualified\n;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
2.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
3.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3.3
Total gate charge Qg[nC]：
12.1
Power Dissipation (PD)[W]：
69.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Trr (Typ.)[ns]：
470
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R8002C供应商更新时间2026-3-15 8:01:00

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