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R6504END3	文件：299.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6504END3	文件：2.23874 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6504E；Package：TO-252；Nch 650V 4A Power MOSFET 文件：2.23874 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6504END3	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V 4A TO-252, 低噪声规格功率MOSFET R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现更优异的性能。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6657-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	CONEXANT QFP	CONEXANT 上传：深圳市千科宇科技有限公司	CONEXANT

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
650
Drain Current ID[A]：
4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.955
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.955
Total gate charge Qg[nC]：
15
Power Dissipation (PD)[W]：
58
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
270
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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