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R6086YNZ	文件：2.34897 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6086YNZ；Package：TO-3PF；Nch 600V 40mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Pb-free plating ; RoHS compliant 5) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.34897 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6086YNZ4	文件：2.30163 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6086YNZ4；Package：TO-247G；Nch 600V 40mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Pb-free plating ; RoHS compliant 5) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.30163 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6086YNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. • Low on-resistance\n• Drive circuits can be simple\n• Halogen free mold compound;	ROHM 罗姆	ROHM
R6086YNZ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 86A, TO-247, Power MOSFET R6086YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free mold compound;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-3PF
包装数量：
300
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
33
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=12V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
110
Power Dissipation (PD)[W]：
114
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
490
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

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