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R6086YNZ4	文件：2.30163 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6086YNZ4；Package：TO-247G；Nch 600V 40mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Pb-free plating ; RoHS compliant 5) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.30163 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6086YNZ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 86A, TO-247, Power MOSFET R6086YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free mold compound;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R61529A1FKQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨
R63309A0ENQV	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市宝隆宏业科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

封装：
TO-247
包装数量：
600
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-247AD
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
86
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=12V(Typ.)：
0.036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.04
Total gate charge Qg[nC]：
110
Power Dissipation (PD)[W]：
781
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
490
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.94x20.95 (t=5.22)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海皇华信息科技有限公司	R6086YNZ4C13	ROHM Semiconductor	2333		120	Rohm授权代理,自营现货	询价
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