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R6018JNX	文件：320.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.29Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：320.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6018JNX	文件：2.22787 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 18A Power MOSFET 文件：2.22787 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6018JNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 18A 功率MOSFET R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6018VNX	文件：2.307 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 170mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant 6) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.307 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJK6018DPK	文件：76.62 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：76.62 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6018DPM	文件：57.79 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：57.79 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
2000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
18
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.22
Total gate charge Qg[nC]：
42
Power Dissipation (PD)[W]：
72
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
80
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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