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R6018VNX	文件：2.307 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6018VNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 170mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant 6) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.307 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6018VNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 10A TO-220FM, 内置高速二极管的PrestoMOS™ R6018VNX是内置高速二极管第4代PrestoMOS™，非常适用于开关应用。 • Fast reverse recovery time(trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free mold compound;	ROHM 罗姆	ROHM
RJK6018DPK	文件：76.62 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：76.62 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6018DPM	文件：57.79 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：57.79 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6018DPM	文件：83.3 Kbytes Page：7 Pages	600V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.3 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
10
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.17
Total gate charge Qg[nC]：
27
Power Dissipation (PD)[W]：
61
Drive Voltage[V]：
15
Trr (Typ.)[ns]：
68
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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更多R6018VNX供应商更新时间2025-10-9 11:06:00

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