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R6015KNZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速开关规格 Nch 600V 15A 功率MOSFET; • Low on-resistance.\n• Ultra fast switching speed.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n; R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNZ	文件：309.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015KNZ	文件：2.58186 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RH6015	文件：683.629 Kbytes Page：11 Pages	触摸芯片代理	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市旺财半导体有限公司	ETC
RJK6015DPK	文件：107.34 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6015DPM	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V-21A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装：
TO-3PF
包装数量：
300
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-3PF
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
15
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.26
Total gate charge Qg[nC]：
27.5
Power Dissipation (PD)[W]：
60
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
415
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
15.5x26.5 (t=5.7)

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更多R6015KNZ供应商更新时间2025-7-29 17:44:00

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