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RJK6015DPK

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:107.34 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6015DPK-00-T0

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:107.34 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6015DPK_15_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:127 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6015DPK

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    600

  • ID (A):

    21

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    360

  • Ciss (pF) 典型值:

    2600

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    67

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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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Renesas(瑞萨)
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封装
500000
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更多RJK6015DPK供应商 更新时间2025-10-12 11:01:00