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R6013VNX	文件：2.41495 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6013VNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 250mohm(typ.) Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant 6) Halogen free mold compound Application Switching applications 文件：2.41495 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6013VNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 8A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode R6013VNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. • Fast reverse recovery time (trr)\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen free mold compound;	ROHM 罗姆	ROHM
RFOS6013	文件：351.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAs Optical Receiver 45MHz to 1200MHz 文件：351.28 Kbytes 页数：4 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RJK6013DPE	文件：77 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.58 Ω typ. (at ID = 5.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：77 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6013DPE	文件：86.14 Kbytes Page：7 Pages	600V - 11A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：86.14 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
8
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.275
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.275
Total gate charge Qg[nC]：
21
Power Dissipation (PD)[W]：
54
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
65
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6013VNX供应商更新时间2025-11-22 14:01:00

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