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R6012ANJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET; •10V驱动型 Nch 功率MOSFET; 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012ANJ	文件：327.78 Kbytes Page：6 Pages	丝印：TL；Package：LPTS；10V Drive Nch MOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy Applications Switching Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012ANJTL	文件：1.03798 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6012ANX	文件：1.031079 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V12APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012ANX	文件：307.01 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012FNX	文件：1.25303 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr). 2)Lowon-resistance. 3)Fastswitchingspeed. 4)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe30V. 5)Drivecircuitscanbesimple. 6)Paralleluseiseasy. 7)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012FNX	文件：1.58205 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
R6012JNJ	文件：2.31767 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V12APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012JNX	文件：2.26505 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V12APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RFOS6012	文件：351.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsOpticalReceiver45MHzto1200MHz	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

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技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Package Size[mm]：
10.1x13.1 (t=4.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
12.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.32
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.32
Total gate charge Qg[nC]：
35.0
Power Dissipation (PD)[W]：
100.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6012ANJ供应商更新时间2025-7-29 14:33:00

技术参数

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