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R6010MND3	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6010MND3	文件：2.21932 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TL；Package：TO-252；Nch 600V 10A Power MOSFET 文件：2.21932 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6010MND3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 10A 功率MOSFET R6010MND3是反向恢复时间(trr)短的功率MOSFET，最适合开关电源用途。 · Fast reverse recovery time (trr).\n · Low on-resistance.\n · Fast switching speed.\n · Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.\n · Drive circuits can be simple.\n · Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM
R61505W0F5QV	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂原装	RENESAS 瑞萨上传：深圳市赛尔通科技有限公司	RENESAS
R61529A1FKQ	文件：0 bytes Page：0 Pages	COG	RENESAS/瑞萨上传：深圳市中飞凌科技有限公司	RENESAS/瑞萨

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.28
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.28
Total gate charge Qg[nC]：
20.0
Power Dissipation (PD)[W]：
143.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6010MND3供应商更新时间2025-12-10 8:01:00

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