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R6003KND3

Nch 600V 3A 功率MOSFET

R6003KND3是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance\n• Ultra fast switching speed\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

R6003KND3

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

R61505W0F5QV

原厂原装

R61529A1FKQ

COG

RENESAS/瑞萨

R63309A0ENQV

COG

RENESAS/瑞萨

技术参数

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    600

  • Drain Current ID[A]:

    3

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    1.3

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1.3

  • Total gate charge Qg[nC]:

    8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    44

  • Drive Voltage[V]:

    10

  • Trr (Typ.)[ns]:

    240

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.4)

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更多R6003KND3供应商 更新时间2025-12-13 13:01:00