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R6002END	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 2A 功率MOSFET; • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n; 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6002END	文件：2.6535 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 2A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6002END	文件：1.79996 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
R6002END3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 2A 功率MOSFET; • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n; R6002END3是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6002END3	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6002END3	文件：2.61179 Mbytes Page：16 Pages	Nch 600V 2A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
2.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
2.8
Total gate charge Qg[nC]：
6.5
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多R6002END供应商更新时间2025-7-28 10:12:00

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