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R5205CND

丝印:TL;Package:CPT3;10V Drive Nch MOSFET

文件:204.76 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R5205PND3FRA

丝印:R5205PND3;Package:TO-252;Nch 525V 5A Power MOSFET

文件:2.36786 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

R5207AND

10V Drive Nch MOSFET

文件:1.16455 Mbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R5205CND

10V Drive Nch MOSFET

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

R5205PND3FRA

Nch 525V 5A 功率MOSFET

本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在TO-252封装中内置525V的Nch MOSFET。内置ESD保护二极管。适合开关用途。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 qualified;

ROHM

罗姆

R5207AND

10V Drive Nch MOSFET

•10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    525

  • Drain Current ID[A]:

    7.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.78

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.78

  • Total gate charge Qg[nC]:

    13.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40.0

  • Drive Voltage[V]:

    10.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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