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R5009ANJ	文件：349.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.72Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R5009ANJ	文件：129.259 Kbytes Page：4 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：129.259 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5009ANJ	文件：272.93 Kbytes Page：6 Pages	丝印：TL；Package：LPTS；10V Drive Nch MOSFET 文件：272.93 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5009ANJ_09	文件：272.93 Kbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：272.93 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5009ANJTL	文件：1.10587 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10587 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
R5009ANJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Package Size[mm]：
10.1x13.1 (t=4.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
500
Drain Current ID[A]：
9.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.55
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.55
Total gate charge Qg[nC]：
21.0
Power Dissipation (PD)[W]：
50.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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