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R5005CNJ	文件：349.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R5005CNX	文件：318.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：318.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R5005CNJ	文件：1.20639 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.20639 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5005CNJTL	文件：1.10706 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10706 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
R5005CNX	文件：1.72151 Mbytes Page：14 Pages	Nch 500V 5A Power MOSFET 文件：1.72151 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R5005CNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
R5005CNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-220FM
Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
500
Drain Current ID[A]：
5.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.3
Total gate charge Qg[nC]：
10.8
Power Dissipation (PD)[W]：
40.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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