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R5005CNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:349.27 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

R5005CNJ

10V Drive Nch MOSFET

文件:1.20639 Mbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

R5005CNJTL

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10706 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

R5005CNJ

10V Drive Nch MOSFET

•10V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    LPTS (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-263 (D2PAK)

  • JEITA Package:

    SC-83

  • Package Size[mm]:

    10.1x13.1 (t=4.5)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    500

  • Drain Current ID[A]:

    5.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    1.3

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1.3

  • Total gate charge Qg[nC]:

    10.8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    40.0

  • Drive Voltage[V]:

    10.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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更多R5005CNJ供应商 更新时间2026-2-8 14:14:00