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R33M-3-1	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33M-4-1	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33M-4-12	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33M-4-6	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33M-8-1	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33M-9-1	文件：255.29 Kbytes Page：1 Pages	MINI RF TRANSFORMERS 文件：255.29 Kbytes 页数：1 Pages	MPSIND 美国芯源	MPSIND
R33	文件：300 bytes Page：1 Pages	工控仪表	KELI 柯力	KELI
REF3312AIDBZR	文件：1.27003 Mbytes Page：39 Pages	丝印：R33A；Package：SOT-23(DBZ)；REF33xx 3.9-μA, SC70-3, SOT-23-3, and UQFN-8, 30-ppm/°C Drift Voltage Reference 1 Features 1• Microsize Packages: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8 • Low Supply Current: 3.9 μA (typ) • Extremely Low Dropout Voltage: 110 mV (typ) • High Output Current: ±5 mA • Low Temperature Drift: 30 ppm/°C (max) • High Initial Accuracy: ±0.15% (max) • 0.1-Hz to 10-Hz Noise: 35 μVPP (REF33 文件：1.27003 Mbytes 页数：39 Pages	TI 德州仪器	TI
REF3312AIDBZR.A	文件：1.27003 Mbytes Page：39 Pages	丝印：R33A；Package：SOT-23(DBZ)；REF33xx 3.9-μA, SC70-3, SOT-23-3, and UQFN-8, 30-ppm/°C Drift Voltage Reference 1 Features 1• Microsize Packages: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8 • Low Supply Current: 3.9 μA (typ) • Extremely Low Dropout Voltage: 110 mV (typ) • High Output Current: ±5 mA • Low Temperature Drift: 30 ppm/°C (max) • High Initial Accuracy: ±0.15% (max) • 0.1-Hz to 10-Hz Noise: 35 μVPP (REF33 文件：1.27003 Mbytes 页数：39 Pages	TI 德州仪器	TI
REF3312AIDBZT	文件：1.27003 Mbytes Page：39 Pages	丝印：R33A；Package：SOT-23(DBZ)；REF33xx 3.9-μA, SC70-3, SOT-23-3, and UQFN-8, 30-ppm/°C Drift Voltage Reference 1 Features 1• Microsize Packages: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8 • Low Supply Current: 3.9 μA (typ) • Extremely Low Dropout Voltage: 110 mV (typ) • High Output Current: ±5 mA • Low Temperature Drift: 30 ppm/°C (max) • High Initial Accuracy: ±0.15% (max) • 0.1-Hz to 10-Hz Noise: 35 μVPP (REF33 文件：1.27003 Mbytes 页数：39 Pages	TI 德州仪器	TI

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产品属性

产品编号：
FJV3113RMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FJV3113RMTF	ONSEMI	25+	N/A	11580	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	FJV3113RMTF	FAIRCHILD/FSC/仙童飞兆半	24+	SOT-23	38700	新进库存/原装	询价
深圳市达恩科技有限公司	FJV3113RMTF	ONSemiconductor	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
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