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R2A25110KSP	文件：2.8483 Mbytes Page：41 Pages	Intelligent Power Device for IGBT Drive with Micro Isolator 1. Description The R2A25110KSP device is an intelligent power device for IGBT gate-drive in the high voltage inverter application. The Micro Isolator with the coreless transformer structure is adopted for data transfer with high voltage isolation between the primary circuit (MCU side) and the s 文件：2.8483 Mbytes 页数：41 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R2A25110KSP	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于 HEV/EV 的栅极驱动器 R2A25110KSP 是一个单通道 IGBT 门极驱动 IC，适用于高压变频器应用。一次回路（MCU 侧）和二次回路（IGBT 侧）之间采用无芯变压器结构的微型隔离器进行数据传输，并进行高压隔离。\n\n该器件包括 IGBT 栅极驱动电路、Miller 箝位电路、软关断电路以及 IGBT 温度检测等多种保护电路。该器件还支持驱动并行 IGBT。 • 片上微型隔离器（隔离电路）• 高压隔离：2500VRMS\n• 高共模阻隔 (CMR)：超过 35kV/us;	Renesas 瑞萨	Renesas
R2A30226SP#W0	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS/瑞萨 SOP	RENESAS/瑞萨上传：深圳庞田科技有限公司	RENESAS/瑞萨
R2A30414NP	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS QFN	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
R2A30426NP#W0	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS QFN	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

Input Voltage (Max) [Rail 1] (V)：
4.5 - 5.5
Input Voltage (Max) [Rail 2] (V)：
12.5 - 21.5
Isolation Voltage (Vrms)：
2500
Common Mode Transient Immunity (kV/µs)：
35
On Resistance (Ω)：
1
Turn-On Prop Delay (ns)：
140
Turn-Off Prop Delay (ns)：
140
IGBT temperature monitor：
Available (PWM output)
Parametric Applications：
Automotive Inverter/Converter
Qualification Level：
Automotive
Pkg. Type：
SSOP48
Temp. Range：
-40 to 125°C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	R2A25110KSP#U50	RENESAS ABU	23+	S/N	62049	公司主营品牌长期供应原装现货可含税提供技术	询价
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更多R2A25110KSP供应商更新时间2025-10-14 11:01:00

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