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R2A25110KSP中文资料适用于 HEV/EV 的栅极驱动器数据手册Renesas规格书
R2A25110KSP规格书详情
描述 Description
R2A25110KSP 是一个单通道 IGBT 门极驱动 IC,适用于高压变频器应用。一次回路(MCU 侧)和二次回路(IGBT 侧)之间采用无芯变压器结构的微型隔离器进行数据传输,并进行高压隔离。
该器件包括 IGBT 栅极驱动电路、Miller 箝位电路、软关断电路以及 IGBT 温度检测等多种保护电路。该器件还支持驱动并行 IGBT。
特性 Features
• 片上微型隔离器(隔离电路)
• 高压隔离:2500VRMS
• 高共模阻隔 (CMR):超过 35kV/us
应用 Application
• xEV 逆变器的功能安全系统概念解决方案
技术参数
- 制造商编号
:R2A25110KSP
- 生产厂家
:Renesas
- Input Voltage (Max) [Rail 1] (V)
:4.5 - 5.5
- Input Voltage (Max) [Rail 2] (V)
:12.5 - 21.5
- Isolation Voltage (Vrms)
:2500
- Common Mode Transient Immunity (kV/µs)
:35
- On Resistance (Ω)
:1
- Turn-On Prop Delay (ns)
:140
- Turn-Off Prop Delay (ns)
:140
- IGBT temperature monitor
:Available (PWM output)
- Parametric Applications
:Automotive Inverter/Converter
- Qualification Level
:Automotive
- Pkg. Type
:SSOP48
- Temp. Range
:-40 to 125°C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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