R1RP0416DSB-2LR数据表ic资料库存现货瑞萨-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
R1RP0416DSB-2LR	文件：544.01 Kbytes Page：14 Pages	4M High Speed SRAM (256-kword × 16-bit) • Single 5.0V supply: 5.0V ± 10% • Access time: 10ns / 12ns (max) • Completely static memory ⎯ No clock or timing strobe required • Equal access and cycle times • Directly TTL compatible ⎯ All inputs and outputs • Operating current: 170mA / 160mA (max) • TTL standby current: 40mA (max) 文件：544.01 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1RP0416DSB-2LR	文件：100.17 Kbytes Page：15 Pages	4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit) 文件：100.17 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1RP0416DSB-2LR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory	Renesas 瑞萨	Renesas
R1RP0416DSB-2LR#B0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESAS 瑞萨	RENESAS
R1RP0416DSB-2LR#D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多R1RP0416DSB-2LR供应商更新时间2026-10-4 22:59:00