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QS6J11	文件：227.06 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TR；Package：TSMT6；1.5V Drive PchPch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：227.06 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS6J11TR	文件：519.09 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications • Battery Switch for Portable Devices • Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：519.09 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6J1TR	文件：519 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications • Battery Switch for Portable Devices • Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：519 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6K1	文件：80.85 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K01；Package：SOT-26；Switching (30V, 1.0A) ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：80.85 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS6K21	文件：223.59 Kbytes Page：5 Pages	丝印：K21；Package：TSMT6；2.5V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：223.59 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS6K21TR	文件：478.06 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFETPower MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • CCFL Inverter • DC/DC Converter • HDD 文件：478.06 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6M3TR	文件：597.43 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：597.43 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6M4	文件：75.55 Kbytes Page：6 Pages	丝印：M04；Package：SOT-26；Small switching ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：75.55 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS6M4TR	文件：597.3 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：597.3 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6U24	文件：484.51 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：484.51 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

封装：
TSMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457T
JEITA Package：
SC-95
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.18
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.26
Total gate charge Qg[nC]：
1.6
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多QS6供应商更新时间2025-11-24 13:30:00

技术参数

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