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QS6J11	文件：227.06 Kbytes Page：5 Pages	Marking：TR；Package：TSMT6；1.5V Drive PchPch MOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
QS6J11	文件：604.56 Kbytes Page：12 Pages	Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
QS6J11TR	文件：519.09 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SMA6J11	文件：314.14 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressors(TVS)DataSheet Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial-ULFlammability ClassificationRating94V-0	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SMA6J11	文件：1.78603 Mbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial-ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMA6J11A	文件：1.78603 Mbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial-ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMA6J11A	文件：210.65 Kbytes Page：12 Pages	600WTransientVoltageSuppressor 1.Generaldescription 600Wuni-andbi-directionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSMASurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage,designedfortransientvoltageprotection. 2.Featuresandbenefits •Ratedpeakpulsepowerat10/1000μswaveform:PPPM=600W •Reversestandoff	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SMA6J11A	文件：314.14 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressors(TVS)DataSheet Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial-ULFlammability ClassificationRating94V-0	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SMA6J11A	文件：374.998 Kbytes Page：5 Pages	600W11VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
QS6J11
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
1.5V Drive Pch+Pch MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	QS6J11	ROHM/罗姆	25+	TSMT6	45026	ROHM/罗姆全新特价QS6J11即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	QS6J11	ROHM/罗姆	2019+	SOT-163	78550	原厂渠道可含税出货	询价
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