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QS6J11TR	文件：519.09 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications • Battery Switch for Portable Devices • Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：519.09 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
QS6J11TR	文件：604.56 Kbytes Page：12 Pages	Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET 文件：604.56 Kbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SMA6J11A	文件：101.6 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Transient Voltage Suppressors 文件：101.6 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SMA6J11A	文件：287.51 Kbytes Page：4 Pages	600 Watt Transient Voltage Suppressors 5.0 to 33 Volts 文件：287.51 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
US6J11	文件：239.67 Kbytes Page：5 Pages	1.5V Drive PchPch MOSFET 文件：239.67 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

详细参数

型号：
QS6J11TR
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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