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ACT8896	文件：88.35 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforSamsungS3C6410 GENERALDESCRIPTION TheACT8896isacomplete,costeffective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolution,optimizedfortheuniquepower,voltage-sequencing,andcontrolrequirementsoftheSamsungS3C6410processor. FEATURES •OptimizedforSamsungS3C6410Processor •Three	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
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FDB8896	文件：553.45 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8896	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=93A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896	文件：353.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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FDD8896	文件：1.01141 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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更多QPB8896SR供应商更新时间2024-6-17 16:16:00

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