QN0102M6N中文资料N-Channel 100V Fast Switching MOSFET数据手册uPI(UBIQ)规格书
QN0102M6N规格书详情
描述 Description
The QN0102M6N is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.
The QN0102M6N meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.
特性 Features
• Advanced high cell density Trench technology
• Extremely Low Gate Charge
• Excellent Cdv/dt effect decline
• RoHS and Green Product Device
应用 Application
• Secondary Synchronous
• LED TV Back Light
技术参数
- 制造商编号
：QN0102M6N
- 生产厂家
：uPI(UBIQ)
- Package Type
：PRPAK5*6
- Configuration
：Single
- MOSFET Type
：N
- VDS (V)
：100
- VGS (V)
：±20
- Vth max. (V)
：2.5
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V
：6
- RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V
：9.5
- Ciss (pF)
：3738
- Coss (pF)
：724
- Crss (pF)
：17
- Qg(nC)
：52
- Qgs(nC)
：13.5
- Qgd(nC)
：7.2
- ID (A) Tc=25℃
：96
- ID (A) Tc=100℃
：61
- ID (A) TA=25℃
：14
- ID (A) TA=70℃
：11
- EAS.max(mj)
：322.4
- PD(W) Tc=25℃
：104
- PD (W) TA=25℃
：2.2
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QAMCN/恭成 |
25+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
UBIQ/力智 |
24+ |
QFN8 |
60000 |
询价 | |||
UBIQ |
24+ |
DFN5X6 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
QAMcn(恭成科技) |
2021+ |
0402 |
12249 |
询价 | |||
UBIQ |
23+ |
PRPAK5X6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
台湾力智 |
2447 |
PRPAK3*3 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO252-2 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
UBIQ/力智 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SONY |
ROHS |
6500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
