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QMSX60M370规格书详情
描述 Description
超结MOSFET是一种新颖的中高压单极性功率器件,主要通过采用电荷平衡技术来实现极低的导通电阻性能,目前是电源领域最有生命力的功率器件。琴芯微SJMOS通过采用多次外延技术实现了极低导通电阻RDSON和FOM优值(RDSON*Qg),应用中可减少系统功率损耗并提高其转换效率,并且通过采用寿命控制技术对部分产品体二极管反向恢复特性进行了优化,实现了高性能和优异反向恢复特性产品。目前可提供电压范围600V~800V,电流范围4A~100A的系列产品。
特性 Features
• 外层外延工艺,改善EMI;
• 低FOM值,降低导通和开关损耗;
• 高EAS能力,优异反向恢复特性。
技术参数
- 制造商编号
:QMSX60M370
- 生产厂家
:QXME
- ID(A)@25%
:11
- V(GS)th(v)typ
:2.5-4.5
- RDS(on)(Q)aVGS=10V25℃ max
:0.37
- QG(nc)
:20
- CFD
:-
- Package
:TO-220F/TO-220 TO-251/TO-252
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BROADBAND |
23+ |
DIP-8 |
658 |
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MODULE |
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