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QMVX18N50B数据手册QXME中文资料规格书
QMVX18N50B规格书详情
描述 Description
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件。琴芯微VDMOS,采用条形元胞结构,通过在工艺上对N-JFET的调整,减小JFET效应,使器件的导通电阻减小,从而降低了器件工作时的温升,提高了系统的转换效率,同时在EAS能力方面具有较大优势,产品的电压覆盖范围500V~800V,电流覆盖2A~25A,可提供更多的产品选择。
特性 Features
• 低 Crss和低Qg,降低开关损耗,
• 低导通阻抗,降低导通损耗,
• 高抗浪涌能力。
技术参数
- 制造商编号
:QMVX18N50B
- 生产厂家
:QXME
- ID(A)@25'C
:18
- V(GS)th(V)_min
:3
- V(GS)th(V)_max
:4
- RDS(on)(Q) @VGS=10V 25*C max
:0.26
- QG(nC)
:73
- Package
:TO-220F/TO-220 TO-247/TO-3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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