QMVX18N50B中文资料VD MOSFET数据手册QXME规格书

描述 Description

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件。琴芯微VDMOS，采用条形元胞结构，通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应,使器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了系统的转换效率，同时在EAS能力方面具有较大优势，产品的电压覆盖范围500V~800V，电流覆盖2A~25A，可提供更多的产品选择。

特性 Features

• 低 Crss和低Qg,降低开关损耗，
• 低导通阻抗，降低导通损耗，
• 高抗浪涌能力。