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QMVX18N50B数据手册QXME中文资料规格书

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厂商型号

QMVX18N50B

功能描述

VD MOSFET

制造商

QXME Shenzhen Qinxin Microelectronics Technology Co., Ltd.

中文名称

琴芯微 青岛中微创芯电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:17:00

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QMVX18N50B规格书详情

描述 Description

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件。琴芯微VDMOS,采用条形元胞结构,通过在工艺上对N-JFET的调整,减小JFET效应,使器件的导通电阻减小,从而降低了器件工作时的温升,提高了系统的转换效率,同时在EAS能力方面具有较大优势,产品的电压覆盖范围500V~800V,电流覆盖2A~25A,可提供更多的产品选择。

特性 Features

• 低 Crss和低Qg,降低开关损耗,
• 低导通阻抗,降低导通损耗,
• 高抗浪涌能力。

技术参数

  • 制造商编号

    :QMVX18N50B

  • 生产厂家

    :QXME

  • ID(A)@25'C

    :18

  • V(GS)th(V)_min

    :3

  • V(GS)th(V)_max

    :4

  • RDS(on)(Q) @VGS=10V 25*C max

    :0.26

  • QG(nC)

    :73

  • Package

    :TO-220F/TO-220 TO-247/TO-3P

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