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QN0101S8N数据手册uPI(UBIQ)中文资料规格书

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厂商型号

QN0101S8N

功能描述

N-Channel 100V Fast Switching MOSFET

制造商

uPI(UBIQ) uPI Semiconductor Corp

中文名称

力智

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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QN0101S8N规格书详情

描述 Description

The QN0101S8N is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications.

The QN0101S8N meets RoHS and Green Product requirements while supporting full functionreliability.

特性 Features

• Advanced high cell density Trench technology
• Super Low Gate Charge
• Excellent Cdv/dt effect decline
• Green Device Available

应用 Application

• Secondary Synchronous
• LED TV Back Light

技术参数

  • 制造商编号

    :QN0101S8N

  • 生产厂家

    :uPI(UBIQ)

  • Package Type

    :SOP8

  • Configuration

    :Single

  • MOSFET Type

    :N

  • VDS (V)

    :100

  • VGS (V)

    :±20

  • Vth max. (V)

    :2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V

    :11

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V

    :15.6

  • Ciss (pF)

    :2198

  • Coss (pF)

    :501

  • Crss (pF)

    :18

  • Qg(nC)

    :32.2

  • Qgs(nC)

    :6.2

  • Qgd(nC)

    :5

  • ID (A) TA=25℃

    :8.8

  • ID (A) TA=70℃

    :5.5

  • EAS.max(mj)

    :171.1

  • PD (W) TA=25℃

    :1.5

  • ESD Diode

    :NO

  • Schottky Diode

    :NO

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