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QN0101S8N

N-Channel 100V Fast Switching MOSFET

The QN0101S8N is a high performance trench N-channel MOSFET which utilizesextremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QN0101S8N meets RoHS and Green Product requirements while • Advanced high cell density Trench technology\n• Super Low Gate Charge\n• Excellent Cdv/dt effect decline\n• Green Device Available;

uPI(UBIQ)

力智电子

QN1117-1.2V

SOT89

QNHCHIP/乾能惠

上传:深圳广友电子有限公司

QNHCHIP/乾能惠

QN1117-1.8V

SOT89

QNHCHIP/乾能惠

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QNHCHIP/乾能惠

QN1117-2.5V

SOT89

QNHCHIP/乾能惠

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QNHCHIP/乾能惠

QN1117-3.3V

SOT89

QNHCHIP/乾能惠

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QNHCHIP/乾能惠

技术参数

  • Package Type:

    SOP8

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET Type:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth max. (V):

    2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V:

    11

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V:

    15.6

  • Ciss (pF):

    2198

  • Coss (pF):

    501

  • Crss (pF):

    18

  • Qg(nC):

    32.2

  • Qgs(nC):

    6.2

  • Qgd(nC):

    5

  • ID (A) TA=25℃:

    8.8

  • ID (A) TA=70℃:

    5.5

  • EAS.max(mj):

    171.1

  • PD (W) TA=25℃:

    1.5

  • ESD Diode:

    NO

  • Schottky Diode:

    NO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多QN0101S8N供应商 更新时间2025-11-5 14:01:00