Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz

Infineon

英飞凌

Cellular (2300 MHz to 2700 MHz)

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz ·Asymmetrical Doherty design - Main: P1dB = 60 W Typ - Peak: P1dB = 90 W Typ\n ·Broadband internal input and output matching\n ·Typical pulsed CW performance, 2350 MHz, 28 V, Doherty configuration - Output power at P1dB = 100 W - Efficiency = 49% - Gain = 17.5 dB\n ·Integrated ESD protection:;

Infineon

英飞凌

Package：H-37248-4；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

Package：H-37248-4；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：IC AMP RF LDMOS H-37248-4

WOLFSPEED