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PTVA127002EV中文资料Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
PTVA127002EV |
| 参数属性 | PTVA127002EV 包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 10:31:00 |
| 人工找货 | PTVA127002EV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTVA127002EV规格书详情
简介
PTVA127002EV属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTVA127002EV晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PTVA127002EVV1XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
415 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
FOQ |
24+ |
9624 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | |||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
MACOM |
24+ |
5000 |
原装军类可排单 |
询价 | |||
Cree/Wolfspeed |
100 |
询价 | |||||
FOQ |
24+ |
200 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
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询价 | ||
FOQPIEZOT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
