PTVA123501ECV2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

High Power RF LDMOS FET, 350 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz

特性 Features

·Broadband internal input and output matching
·High gain and efficiency
·Integrated ESD protection
·Low thermal resistance
·Excellent ruggedness
·Pb-free and RoHS compliant
·Capable of withstanding a 10:1 load mismatch (all phase angles) at 55.5 dBm under pulsed conditions: 300 μs pulse width, 12% duty cycle, VDD = 50 V
·Package: H-36248-2, bolt down

简介

PTVA123501ECV2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTVA123501ECV2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。